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國際集成電路頂會(huì )收錄論文數公布，中國首次位居世界第一
- IT之家 11 月 20 日消息，相對于 IEEE 國際研討會(huì )，在半導體和集成電路領(lǐng)域還有著(zhù)三大盛會(huì )的存在，他們分別是：ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態(tài)電路會(huì )議）、IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子器件會(huì )議）、VLSI（Symposium on VLSI Technology and Circuits，超大規模集成電路技術(shù)和電路研討會(huì )）。這三大會(huì )議，并稱(chēng)集
- 關(guān)鍵字： ISSCC IEDM VLSI IEEE
走進(jìn)這個(gè)完成“不可思議”任務(wù)的研發(fā)團隊，一文解讀集成電路設計的創(chuàng )新密碼
- 高質(zhì)量科技論文數量通常被認為與一個(gè)機構的科研實(shí)力正相關(guān)。作為世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認的集成電路設計領(lǐng)域最高級別會(huì )議，ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)的年度大會(huì )論文就是一個(gè)重要的觀(guān)察窗口，每年各個(gè)國家和地區以及全球重要的半導體企業(yè)入選論文的數量、主題和反映的技術(shù)發(fā)展趨勢都成為圈內熱門(mén)的話(huà)題?！ ≈袊箨懺?016年到2019年四年時(shí)間內共有17篇論文入選，呈現持續增長(cháng)態(tài)勢。特別值得一提的是其中有一個(gè)機構連續四年都有論
- 關(guān)鍵字： 集成電路設計，ISSCC，ADI
ISSCC 2019會(huì )議搶先看：哪些技術(shù)有新進(jìn)展？
- 芯片奧林匹克——IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì )(ISSCC 2019)推介會(huì )近日珠海舉行，ISSCC遠東技術(shù)委員會(huì )會(huì )員及特邀嘉賓魏少軍教授到場(chǎng)?！ ∥荷佘姡褐袊a(chǎn)學(xué)界最缺的是技術(shù) “我們現在不缺資金，最缺技術(shù)?！? 中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )理事長(cháng)魏少軍教授說(shuō)，“我們之所以產(chǎn)品有競爭力，一是因為我們靠近市場(chǎng)，二是靠?jì)r(jià)格?！遍L(cháng)期以來(lái)，我們靠EDA等工具來(lái)提升，不是真正有好的創(chuàng )新和設計。魏教授呼吁，技術(shù)問(wèn)題是根本，我們要掌握世界最先進(jìn)的設計技術(shù)，因此要聽(tīng)一流的學(xué)術(shù)報告。ISSCC(IEEE國際固
- 關(guān)鍵字： ISSCC 固態(tài)電路
從ISSCC 2018會(huì )議看電源管理的五大創(chuàng )新
- 作者 / 迎九 近日，在“2018-IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì )(ISSCC 2018)北京發(fā)布會(huì )”上，ISSCC模擬集成電路委員會(huì )委員、復旦大學(xué)洪志良教授介紹了電源管理方面的最新成果?！ 『饬侩娫春脡闹饕腥齻€(gè)指標：1.性能，其中效率是重要指標，2.功能，3，成本。電源非常重要，例如手機電源不好，會(huì )引起爆炸?！ ‰娫崔D換器技術(shù)主要用三種途徑提升效率：1.新的電源架構，2.新的控制技術(shù)，3.用數字技術(shù)來(lái)輔助實(shí)現模擬電源?！ 腎SSCC 2018會(huì )議錄用的論文，可以看到主要有五大方向?！ ?第一個(gè)方向是開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： ISSCC 2018 開(kāi)關(guān)電源 能量收集 無(wú)線(xiàn)能量轉換 201712
10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC
- 一年一度的“國際固態(tài)電路會(huì )議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開(kāi)發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構搭載十核心的創(chuàng )新行動(dòng)SoC。此外，指紋辨識、視覺(jué)處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術(shù)也將在此展示最新開(kāi)發(fā)成果。 三星將提供更多DRAM與快
- 關(guān)鍵字： SRAM ISSCC
在ISSCC 2015，工程師們都在聊什么？
- 三星描述了第二代128 Gbit 3D NAND Flash。這個(gè)韓國巨頭在密集型閃存中領(lǐng)先，并有望在今年晚些時(shí)候擊敗臺積電14/16 nm 。事實(shí)上，幫助它保留住主要競爭對手蘋(píng)果作為代工客戶(hù)。 ISSCC只有少部分論文只有臺積電 16 nm工藝。預計明年會(huì )有更多，并且會(huì )有首次來(lái)自使用Intel 14 nm FinFET工藝的論文。 來(lái)自加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校的Behzad Razavi 表示，他看到了用帶有收發(fā)器的軟件無(wú)線(xiàn)電降低到DSP連接小型ADC和天線(xiàn)的趨勢，雖然接收機仍然需要復雜
- 關(guān)鍵字： ISSCC 物聯(lián)網(wǎng)
ISSCC 2015的十大見(jiàn)聞
- 今年的國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)再次見(jiàn)證了一系列的芯片創(chuàng )新。盡管成本上升和追逐摩爾定律的復雜性，在這個(gè)芯片設計者的年度盛會(huì )上，工程師們設計出更小、更快、更豐富的器件，為一個(gè)新而陌生的超低功耗設計世界的呈現了一些別有風(fēng)味的“小菜”。 對于3D芯片堆疊的討論 ISSCC會(huì )議上回蕩著(zhù)一群設計者對于試圖從更多的日益復雜和昂貴的工藝節點(diǎn)中擠出更多的抱怨聲。“我們應該繼續擴展到7nm和5nm，但我們需要從這些節點(diǎn)獲得更多，”高通技術(shù)副總裁Geoffr
- 關(guān)鍵字： ISSCC 固態(tài)電路
2012 國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC 2012）北京推介會(huì )
- 2012年國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC 2012）北京推介會(huì )日前在北京清華大學(xué)成功召開(kāi)。ISSCC（ International Solid-State Circuits Conference 國際固態(tài)電路會(huì )議）始于1953年，每年一屆，是由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(huì )（SSCS）主辦的最著(zhù)名的半導體集成電路國際學(xué)術(shù)會(huì )議。ISSCC也是世界上規模最大、水平最高的固態(tài)電路國際會(huì )議，歷屆都有遍及世界各地的數千名學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界人士參加。
- 關(guān)鍵字： ISSCC 2012 集成電路
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